文、 Daniel
韓國三星電子Samsung的高頻寬記憶體晶元「HBM」，因為「熱量」與「功耗」問題，未能通過「英偉達NAVDA」的標準測試。目前AI人工智慧圖形處理單元（GPU）的第四代HBM，制定了晶片所需要的熱量與功耗規範，因為沒有通過測試，直接影響到三星HBM3晶元的研發推動。
三星Samsung對外表示，HBM 是一種動態隨機存取記憶體，藉由晶片垂直堆疊的功能來以節省空間並降低功耗，有效處理 AI應用程式中的大量數據，受到今日AI市場的熱度發展，進而推動GPU 的需求飆升，HBM的需求也因此提升。三星一直致力於「英偉達NAVDA」的HBM3和HBM3E研發測試，以期待能夠得到來自於「輝達Nvidia」在AI應用上的訂單需求，最終晶片測試結果還是失敗了。
至今尚不清楚在未通過測試後，三星與英偉達的下一步驟，「SK海力士」是英偉達HBM晶元的主要供應商之一，「美光Micron Technology」也是HBM的製造商，其表示將會向英偉達NAVDA提供新型晶片「HBM3E」。如此一來，三星勢必落後於市場競爭對手SK海力士以及美光科技Micron Technology，引發了業界投資者的耽憂。目前三星採取更換其半導體部門的主管，期待藉由新的技術領導者來解決“危機”。
